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  三洋聚合物电容,三洋高分子电容器

SANYO(三洋) Passive Components : Capacitors
 
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高分子的特点及应用 其它产品
三洋聚合物钽电容
   
         
三洋(SANYO)导电性高分子钽固体电容(POSCAP)
   POSCAP因为在阳极采用钽烧结体(APA系列为铝箔),在阴极里采用独自的做法使高分子有机半导体形成具有高度的导电性能,不仅使得形状大幅度变小,高度变低,等效串联电阻(ESR) 变小。并且拥有出色的高频率特性, 最为适合电子设备的数字化, 高频化的小型化电容器。同时也具有可靠性高,耐热性的特性。

SANYO高分子电容资料  产品分类资料

  三洋高分子钽电容规格书
  设计辅助工具   产品型号列表

特征:
采用导电性高分子以实现等效串联电阻(ESR)小。
      作为频率的一个功率,高频率用于除去噪声时的最佳状态是加大容许纹波电流,最适合用于转换电流的平滑电容器以及个人电脑CPU周围负载变化中的保护电容器。
无铅化对应.
      端子上采用镀和金(金-钯), 内部材料均不使用铅。
长寿命105℃ x 2000小时保证
      因为采用在高温稳定性中表现出色的导电性高分子,可实现105℃×2,000小时的长寿命。
※除去一部分机种。
在零下55℃时平定的温度特性
      由于能够生成周密,贴付性好的导电性高分子,所以对阻抗,ESR温度影响小,可广泛应用于各种设备。
高温冲击电流特性
      据导电性高分子优越的自我修复能力,可保证20A的冲击电流。
高度的焊接耐压性能(240℃,10秒)
      由于拥有240℃10秒的焊接耐热性保证,可对应于流程中的焊接。
可以实现10μF~1500μF的大容量范围
      广泛应用于AP系列,TP系列,TH系列,,TQ系列的容量范围。
      万一出故障时与钽电容相比具有很高的安全性



 
      导电性高分子铝固体电容(OS-CON):  

三洋高分子铝电解
   
         
   OS-CON 采用高电导导电性高分子或有机半导体为电解质,更大程度地降低了等效串联电阻(ESR)及提高了削除纹波能力和频率特性。同时通过固体电解质实现的电容器的固体化还带来了ESR稳定的温度特性及长寿命。

SANYO高分子电容资料  产品分类资料

  三洋高分子铝电解规格书
  技术信息   产品型号列表

特征:
等效串联电阻(ESR)小的电容器
      阻抗频率特性基本上达到了最圆满的值。适用于消除纹波噪声,峰值噪声,数码噪声,静电噪声以及音响设备等噪声的去藕电容器。
      允许通过的纹波电流多,适用于小形化设备转换电流平滑电容器。
      可快速放电。适合用于高速大电流电路中的保护电容器。
      等效串联电阻(ESR)不受温度的影响
      适合于低温(0℃以下)规格的设备。
长寿命 .
      在85℃的工作环境中,寿命可望高达50,000小时。(SH系列) 适合于长期使用的产业设备等。


 
      部分型号列表:  

序号 产品类型 电容型号 尺寸 额定电压 电阻精度 容量值 损耗因数DF 漏电流lc(uA) 等效电阻ESR 纹波电流 包装数
1
SEP-聚合物钽电容
4SEP150M 6.3/2.5 4V ±20% 105°C 3000H 2.5 300uA 40mΩ 1810mA 500
2
SEQP-聚合物钽电容
4SEQP150M 6.3/2.5 4V ±20% 125°C 1000H 2.5 300uA 40mΩ 1810mA 500
3
SEP-聚合物钽电容
4SEP220M 8.0/3.5 4V ±20% 105°C 3000H 2.8 440uA 35mΩ 2560mA 200
4
SEP-聚合物钽电容
4SEP330M 8.0/3.5 4V ±20% 125°C 1000H 2.8 660uA 35mΩ 2560mA 200
5
SEQP-聚合物钽电容
4SEQP330M 8.0/3.5 4V ±20% 105°C 3000H 2.8 660uA 35mΩ 2560mA 200
6
SEP-聚合物钽电容
4SEP470M 10.0/5.0 4V ±20% 125°C 1000H 4.7 376uA 25mΩ 3700mA 200
7
SEPC-聚合物钽电容
4SEPC560M 8.0/3.5 4V ±20% 105°C 3000H 4.1 500uA 7mΩ 6100mA 200
8
SEPC-聚合物钽电容
4SEPC560MW 6.3/2.5 4V ±20% 125°C 1000H 2.0 500uA 7mΩ 5600mA 500
9
SEPC-聚合物钽电容
4SEPC560MX 8.0/3.5 4V ±20% 105°C 3000H 2.7 500uA 7mΩ 6100mA 200
10
SEP-聚合物钽电容
4SEP560M 8.0/3.5 4V ±20% 125°C 1000H 4.1 448uA 13mΩ 4520mA 200
11
SEQP-聚合物钽电容
4SEQP560M 8.0/3.5 4V ±20% 105°C 3000H 4.1 448uA 13mΩ 4520mA 200
12
SEPC-聚合物钽电容
4SEPC680M 8.0/3.5 4V ±20% 125°C 1000H 4.1 544uA 7mΩ 6100mA 200
13
SEP-聚合物钽电容
4SEP680M 10.0/5.0 4V ±20% 105°C 3000H 4.7 544uA 25mΩ 3700mA 200
14
SEQP-聚合物钽电容
4SEQP680M 10.0/5.0 4V ±20% 125°C 1000H 4.7 544uA 25mΩ 3700mA 200
15
SEPC-聚合物钽电容
4SEPC820M 10.0/5.0 4V ±20% 105°C 3000H 5.8 656uA 7mΩ 6640mA 200
16
SEP-聚合物钽电容
4SEP1200M 10.0/5.0 4V ±20% 125°C 1000H 5.8 960uA 12mΩ 5440mA 200
17
SEQP-聚合物钽电容
4SEQP1200M 10.0/5.0 4V ±20% 105°C 3000H 5.8 960uA 12mΩ 5440mA 200
18
SEP-聚合物钽电容
6SEP82M 6.3/2.5 6.3V ±20% 125°C 1000H 2.5 258uA 45mΩ 1700mA 500
19
SEQP-聚合物钽电容
6SEQP82M 6.3/2.5 6.3V ±20% 105°C 3000H 2.5 258uA 45mΩ 1700mA 500
20
SEP-聚合物钽电容
6SEP150M 8.0/3.5 6.3V ±20% 125°C 1000H 2.8 472uA 35mΩ 2560mA 200

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