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  三洋聚合物电容,三洋高分子电容器

SANYO(三洋) Passive Components : Capacitors
 
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高分子的特点及应用 其它产品
三洋聚合物钽电容
   
         
三洋(SANYO)导电性高分子钽固体电容(POSCAP)
   POSCAP因为在阳极采用钽烧结体(APA系列为铝箔),在阴极里采用独自的做法使高分子有机半导体形成具有高度的导电性能,不仅使得形状大幅度变小,高度变低,等效串联电阻(ESR) 变小。并且拥有出色的高频率特性, 最为适合电子设备的数字化, 高频化的小型化电容器。同时也具有可靠性高,耐热性的特性。

SANYO高分子电容资料  产品分类资料

  三洋高分子钽电容规格书
  设计辅助工具   产品型号列表

特征:
采用导电性高分子以实现等效串联电阻(ESR)小。
      作为频率的一个功率,高频率用于除去噪声时的最佳状态是加大容许纹波电流,最适合用于转换电流的平滑电容器以及个人电脑CPU周围负载变化中的保护电容器。
无铅化对应.
      端子上采用镀和金(金-钯), 内部材料均不使用铅。
长寿命105℃ x 2000小时保证
      因为采用在高温稳定性中表现出色的导电性高分子,可实现105℃×2,000小时的长寿命。
※除去一部分机种。
在零下55℃时平定的温度特性
      由于能够生成周密,贴付性好的导电性高分子,所以对阻抗,ESR温度影响小,可广泛应用于各种设备。
高温冲击电流特性
      据导电性高分子优越的自我修复能力,可保证20A的冲击电流。
高度的焊接耐压性能(240℃,10秒)
      由于拥有240℃10秒的焊接耐热性保证,可对应于流程中的焊接。
可以实现10μF~1500μF的大容量范围
      广泛应用于AP系列,TP系列,TH系列,,TQ系列的容量范围。
      万一出故障时与钽电容相比具有很高的安全性



 
      导电性高分子铝固体电容(OS-CON):  

三洋高分子铝电解
   
         
   OS-CON 采用高电导导电性高分子或有机半导体为电解质,更大程度地降低了等效串联电阻(ESR)及提高了削除纹波能力和频率特性。同时通过固体电解质实现的电容器的固体化还带来了ESR稳定的温度特性及长寿命。

SANYO高分子电容资料  产品分类资料

  三洋高分子铝电解规格书
  技术信息   产品型号列表

特征:
等效串联电阻(ESR)小的电容器
      阻抗频率特性基本上达到了最圆满的值。适用于消除纹波噪声,峰值噪声,数码噪声,静电噪声以及音响设备等噪声的去藕电容器。
      允许通过的纹波电流多,适用于小形化设备转换电流平滑电容器。
      可快速放电。适合用于高速大电流电路中的保护电容器。
      等效串联电阻(ESR)不受温度的影响
      适合于低温(0℃以下)规格的设备。
长寿命 .
      在85℃的工作环境中,寿命可望高达50,000小时。(SH系列) 适合于长期使用的产业设备等。


 
      部分型号列表:  

序号 产品类型 电容型号 尺寸 额定电压 电阻精度 容量值 损耗因数DF 漏电流lc(uA) 等效电阻ESR 纹波电流 包装数
1
TA-聚合物钽电容
10TAE150ML 7343/D3L 10V ±20% 150μF 10 150uA 25mΩ 2400mA 2500
2
TA-聚合物钽电容
10TAE220ML 7343/D3L 10V ±20% 220μF 10 220uA 25mΩ 2400mA 2500
3
TV-聚合物钽电容
6TVE150M 7343/D2E 6.3V ±20% 150μF 10 94.5uA 25mΩ 2400mA 3000
4
TV-聚合物钽电容
10TVE68M 7343/D2E 10V ±20% 68μF 10 68uA 25mΩ 2400mA 3000
5
TV-聚合物钽电容
10TVE150ML 7343/D3L 10V ±20% 150μF 10 150uA 25mΩ 2400mA 2500
6
TQC-聚合物钽电容
16TQC10M 3528/B2 16V ±20% 10μF 10 48uA 100mΩ 800mA 2000
7
TQC-聚合物钽电容
16TQC15M 3528/B2 16V ±20% 15μF 10 72uA 90mΩ 1000mA 2000
8
TQC-聚合物钽电容
16TQC33MYFB 3528/B2 16V ±20% 33μF 10 158.4uA 90mΩ 1000mA 2000
9
TQC-聚合物钽电容
20TQC8R2M 3528/B2 20V ±20% 8.2μF 10 49.2uA 100mΩ 800mA 2000
10
TQC-聚合物钽电容
20TQC22MYFB 3528/B2 20V ±20% 22μF 10 132uA 90mΩ 1100mA 2000
11
TQC-聚合物钽电容
25TQC5R6M 3528/B2 25V ±20% 5.6μF 10 42uA 100mΩ 800mA 2000
12
TQC-聚合物钽电容
25TQC15MYFB 3528/B2 25V ±20% 15μF 10 112.5uA 100mΩ 900mA 2000
13
TQC-聚合物钽电容
35TQC2R7MYF 3528/B15 35V ±20% 2.7μF 10 47.3uA 300mΩ 800mA 2000
14
TQC-聚合物钽电容
35TQC3R9MYF 3528/B2 35V ±20% 3.9μF 10 40.9uA 400mΩ 500mA 2000
15
TQC-聚合物钽电容
16TQC33MYFS 7343/D12 16V ±20% 33μF 10 52.8uA 40mΩ 1800mA 4500
16
TQC-聚合物钽电容
16TQC33MYFD 7343/D2 16V ±20% 33μF 10 52.8uA 70mΩ 1400mA 3000
17
TQC-聚合物钽电容
16TQC47MYFT 7343/D15 16V ±20% 47μF 10 75.2uA 55mΩ 1500mA 3000
18
TQC-聚合物钽电容
16TQC47MW 7343/D2 16V ±20% 47μF 10 75.2uA 40mΩ 1800mA 3000
19
TQC-聚合物钽电容
16TQC47MYFD 7343/D2 16V ±20% 47μF 10 75.2uA 55mΩ 1450mA 3000
20
TQC-聚合物钽电容
16TQC68MYF 7343/D2 16V ±20% 68μF 10 108.8uA 50mΩ 1500mA 3000

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